ASML:预计2015年可发布首款量产型EUV机台

[导读] 设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆厂,合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度,预计2015年可发布首款量产型EUV机台。

极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x纳米节点后将面临物理极限,遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆厂,合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度,预计2015年可发布首款量产型EUV机台。

ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到,ASML虽也同步投入E-Beam基础研究,但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。

ASML亚太区技术行销协理郑国伟表示,ASML于2012年下旬购併微影设备光源供应商--Cymer后,近半年在EUV技术研发方面已有重大突破。特别在光源功率表现上,已从去年30瓦(W)大幅提升至目前的55瓦,预估今年底设定功率达80瓦、每小时晶圆产出速度(wph)58片的目标也可顺利达阵,并将出货五部EUV研发型设备--NXE 3300予客户。

与此同时,ASML亦紧锣密鼓推动EUV量产型机台设计,目前正与英特尔(Intel)、台积电、三星(Samsung)和IMEC紧密合作,将共同投入大量研发资源并贡献各自的硅智财(IP),进一步提升EUV光源功率并改良光学机构设计,使晶圆产出速度和经济效益符合业界要求。郑国伟强调,ASML最快在2015年中就能发布EUV量产型机台,使光源功率突破250瓦,且晶圆产出速度臻至125wph,从而协助晶圆厂加速布建10纳米鳍式电晶体(FinFET)产线。

事实上,ASML已和晶圆厂客户达成共识,认为只要将EUV光源功率提升至100~125瓦,实现70wph的水準,整体生产成本就能赶上多重浸润式曝光,逐渐在16/14纳米FinFET制程崭露头角。至于2015~2016年,EUV具备125wph的产出能力,更将成为晶圆厂发展10纳米FinFET不可或缺的制程设备,跃居微影技术主流地位。

据悉,进入20纳米世代,电晶体线宽(指晶圆布线之间的距离)将微缩至30纳米以下,已超越目前主流浸润式微影方案的解析度极限(约为3x纳米),因此,包括台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)等正在投资建置20纳米产线的晶圆厂,皆已相继导入双重曝光(Double-patterning)技术,在同一片晶圆面积上进行两次微影制程,以实现更高密度的晶片电路布局(Layout)。

不过,郑国伟分析,一旦採用双重甚至三重曝光,增加晶圆制作流程的循环时间(Cycle Time),不仅生产成本倍增,良率也会随之下降,势将延宕先进制程开发速度,并重重打击晶圆厂和晶片商的投资信心。也因此,业界才会对解析度可朝30纳米以下规格延伸,并能单次曝光的EUV寄予厚望;而EUV主要设备供应商ASML更是责无旁贷,务须跨越相关技术门槛,以延续摩尔定律(Moore’s Law)。

由于EUV对半导体产业的发展举足轻重,部分业者也忧心该技术一旦遭遇瓶颈,整个供应链将无以为继的窘境,竞相开始寻求备案。郑国伟提到,现阶段的确有厂商同时押宝不同的微影方案,其中,可省下光罩制程且解析度亦能满足1x纳米晶圆要求的多重电子束(Multi E-Beam)技术,为当下呼声最高的EUV替代选项;然而,E-Beam的晶圆产出速度还远远落后传统或EUV微影,短期内难有突破性的进展。


精彩评论 0

还可以输入100个字,评论长度3个中文字符以上
95919000:2017-12-13 15:29:48